Научно-технический
«ОПТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ»
издается с 1931 года
Апрель 2014 № 4(81)

Михайлов Николай Николаевич

Место работы: Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, лаборатория эпитаксии из молекулярных пучков соединений А2В6
Ученая степень: канд. физ.-мат. наук
E-mail: mikhailov@isp.nsc.ru
Васильев В. ., Предеин А. ., Варавин В. ., Михайлов Н. Н., Дворецкий С. ., Рева В. ., Сабинина И. ., Сидоров Ю. ., Сизов Ф. ., Сусляков А. ., Асеев А. . Линейчатый фотоприемник формата 288×4 с двунаправленным режимом временной задержки и накопления
Статья опубликована в выпуске 12(76) за 2009
Васильев В. ., Варавин В. ., Дворецкий С. ., Марчишин И. ., Михайлов Н. Н., Предеин А. ., Ремесник В. ., Сабинина И. ., Сидоров Ю. ., Сусляков А. . Матричные фотоприемники 320×256 со встроенным коротковолновым отрезающим фильтром
Статья опубликована в выпуске 12(76) за 2009
Андреева Е. ., Варавин В. ., Васильев В. ., Гуменюк-Сычевская Ж. ., Дворецкий С. ., Михайлов Н. Н., Цибрий З. ., Сизов Ф. . Сравнение токовых характеристик фотодиодов, сформированных на пленках CdHgTe, выращенных методами молекулярно-лучевой и жидкофазной эпитаксии, для спектрального диапазона 8–12 мкм
Статья опубликована в выпуске 12(76) за 2009
Дворецкий С. ., Квон З. ., Михайлов Н. Н., Швец В. А., Виттман Б. ., Данилов С. ., Ганичев С. ., Асеев А. . Наноструктуры на основе CdHgTe для фотоприемников
Статья опубликована в выпуске 12(76) за 2009
Информация 2002-2017 ©
Научно-технический «ОПТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ»
Все права защищены.