Научно-технический
«ОПТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ»
издается с 1931 года
Апрель 2014 № 4(81)
УДК 621.38

НОВЫЙ МЕТОД ФОРМИРОВАНИЯ ЛИТОГРАФИЧЕСКОЙ МАСКИ ИЛИ РЕЛЬЕФА НЕПОСРЕДСТВЕННО В ПРОЦЕССЕ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОГО ЭКСПОНИРОВАНИЯ РЕЗИСТА

Жихарев Е. ., Кальнов В. ., Спирин А. ., Стрельцов Д. .


Читать статью полностью 
Предложен новый “сухой” метод формирования рисунка маски или любого друго- го рельефа в некоторых позитивных резистах путем прямого травления резиста непо- средственно в процессе экспонирования электронным лучом. Метод весьма эффекти- вен при формировании пространственных 3D структур и, по-видимому, может быть успешно использован в оптоэлектронике.
Ключевые слова: оптоэлектроника, электронная литография, сухое травление ре- зиста, 3D структуры
Информация 2002-2017 ©
Научно-технический «ОПТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ»
Все права защищены.