Приведены результаты исследования воздействия импульсного излучения сплошного спектра, создаваемого плазменным источником света на основе магнитоприжатого разряда, на фоточувствительные элементы оптико-электронных приборов. Определены пороговые значения энергетической экспозиции, вызывающие уменьшение фототока кремниевого элемента солнечной батареи, обратимые изменения чувствительности кремниевого фотодиода и обратимые изменения чувствительности и разрешающей способности кремниевого матричного фотоприемника с накоплением заряда.

Ключевые слова: фоточувствительность, магнитоприжатый разряд, засветка.