Исследованы фотоэлектронные свойства высокоомной пленки серебра на сапфире, состоящей из гранул размером 15-20 нм и такими же промежутками между ними. Омическая проводимость пленки увеличивалась с температурой. Обнаружена фотопроводимость в пленке при воздействии на нее оптического излучения с длинами волн до красной границы фотоэффекта. В спектре фотопроводимости обнаружен эффект "смены знака" фототока, когда под действием излучения, с длиной волны менее 460 нм, ток через пленку увеличивается, а с длиной волны большей 460 нм уменьшается. Предложена модель проводимости и фотопроводимости, основанная на допировании диэлектрической подложки за счет расположенных на ней металлических наночастиц и движении электронов по ловушкам в подложке. В рамках модели рассчитано положение дна зоны проводимости диэлектрика относительно уровня Ферми для серебра.

Ключевые слова: гранулированная пленка серебра, диэлектрическая подложка, ловушки в подложке, проводимость, энергия активации, фотопроводимость