Научно-технический
«ОПТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ»
издается с 1931 года
Апрель 2014 № 4(81)
УДК 53.01; 535.016

Зависимость параметров паразитного наноструктурирования рельефно-фазовых голограммных структур на тонких пленках халькогенидного стеклообразного полупроводника от высоты их рельефа

Корешев С. Н., Ратушный В. П.


Читать статью полностью 
Приведены результаты экспериментального исследования влияния высоты рельефа  отражательных рельефно-фазовых голограмм, получаемых на слоях халькогенидного стеклообразного полупроводника (ХСП), на параметры паразитной наноструктуризации  их поверхности. Работа выполнена с помощью сканирующего зондового микроскопа  Solver P-47. Установлена коротковолновая граница применимости отражательных  рельефно-фазовых голограмм, получаемых на тонких слоях ХСП без какой-либо апо- стериорной обработки, равная 80 нм. Начиная с нее, голограммы, характеризующиеся высотой рельефа, оптимальной с точки зрения максимальной дифракционной эффектив- ности, удовлетворяют по параметру среднеквадратичной шероховатости их поверхности  σ критериям Марешаля σ ≤ λ/27 и допустимого светорассеяния σ ≤ λ/100 и тем самым  обеспечивают в восстановленном с их помощью изображении допустимый для прецизионных оптических систем уровень светорассеяния и аберраций.
Ключевые слова: высота рельефа, среднеквадратичная шероховатость, аберрация  голограммы, коротковолновая граница применимости.
Информация 2002-2017 ©
Научно-технический «ОПТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ»
Все права защищены.