В работе исследовались структурные изменения, индуцированные лазерным излучением с длиной волны λ = 800 нм, длительностью импульса τ = 100 фс и частотой повторения f = 80 МГц в объемных образцах стеклообразных полупроводников. В результате работы были созданы волноводные структуры в стеклах As2 S3  и 0,15(Ga2S3 )-0,85(GeS2 ):Er3+ (C(Er3+) = 1,2 ат%) при различных условиях лазерного воздействия (способ записи, скорость и количество сканирований). Структурные изменения, индуцированные фемтосекундным лазерным излучением, в образце стекла As 2 S 3  были исследованы методом комбинационного рассеяния.