Меню
Публикации
Главный редактор

ТИБИЛОВ
Александр Саламович
к ф-м.н., ст.н.с
УДК535.212
Лесик М. А., Шимко А. А., Маньшина А., Аверина А. В.
Читать статью полностью
Модификация структуры халькогенидных стеклообразных полупроводников под воздействием фемтосекундного лазерного излучения
Читать статью полностью

В работе исследовались структурные изменения, индуцированные лазерным излучением с длиной волны λ = 800 нм, длительностью импульса τ = 100 фс и частотой повторения f = 80 МГц в объемных образцах стеклообразных полупроводников. В результате работы были созданы волноводные структуры в стеклах As2 S3 и 0,15(Ga2S3 )-0,85(GeS2 ):Er3+ (C(Er3+) = 1,2 ат%) при различных условиях лазерного воздействия (способ записи, скорость и количество сканирований). Структурные изменения, индуцированные фемтосекундным лазерным излучением, в образце стекла As 2 S 3 были исследованы методом комбинационного рассеяния.