In  this  paper  the  mean  current  impulse  response  and  standard  deviation  in  Geiger mode  for  heterostructure  APD  are  determined.  The  model  is  based  on  recurrence equations. These equations are solved numerically to calculate the mean current impulse response  and  standard  deviation  as  a  function  of  time.  In  this  structure  we  illustrate the  multiplication  region  with  different  ionization  threshold  energies  that  the  impact ionization  of  the  injected  carrier  type  is  localized  and  the  feedback  carrier  type  is suppressed.  In  fact  for  this  structure,  better  control  of  spatial  distribution  of  impact ionization  for  both  injected  and  feedback  carriers  can  be  achieved.  By  enhancing  the control of impact-ionization position, the structure achieved to high gain and very low noise.

Ключевые слова: Avalanche Photodiode, Geiger mode, I2E structure, Dark Count