Научно-технический
«ОПТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ»
издается с 1931 года
Апрель 2014 № 4(81)
УДК 535.417; 535.317; 778.38

Предельные возможности интерференционной фотолитографии, реализуемой в видимой области спектра на тонких слоях халькогенидного стеклообразного полупроводника

Корешев С. Н., Ратушный В. П.


Читать статью полностью 
Приведены результаты исследования параметров структур (минимального периода следования элементов и скважности), получаемых под действием излучения аргонового лазера на тонких пленках халькогенидного стеклообразного полупроводника, нанесенных на слои рентгеноаморфного хрома. Показано, что экспонируемые излучением с длиной волны 0,488 мкм тонкие пленки трехкомпонентного стеклообразного полупроводника могут быть использованы в методе интерференционной фотолитографии для получения структур с минимальным периодом 260 нм и минимальным размером элемента структуры 65 нм. Установлена возможность уменьшения минимального размера элемента структуры до 50 нм при увеличении периода следования элементов до 600 нм за счет использования “двухмасочной” технологии интерференционной фотолитографии.
Ключевые слова: интерференционная фотолитография, тонкие пленки, стеклообразный полупроводник
Информация 2002-2017 ©
Научно-технический «ОПТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ»
Все права защищены.