Исследовано изменение спектров поглощения монокристаллов форстерита Mg2SiO4 в результате облучения пучком электронов с энергией 21 МэВ. Облучение приводит к появлению в кристаллах дополнительного поглощения в виде широкой полосы в диапазоне 350–800 нм с максимумом в области 430 нм (Ec). Интенсивность дополнительного поглощения в кристаллах, выращенных в окислительной атмосфере, как правило, существенно выше, чем в кристаллах, выращенных в нейтральной атмосфере, за исключением кристаллов, сильнолегированных хромом, для которых величина дополнительного поглощения практически не зависит от окислительного потенциала ростовой атмосферы. При дополнительном легировании литием кристаллов хромсодержащего форстерита, выращенных в окислительной атмосфере, в спектре поглощения появляется еще одна интенсивная поляризованная полоса с максимумом, в зависимости от поляризации, около 375 нм (Eb) или 400 нм (Eс).

Ключевые слова: дополнительное поглощение, облучение, монокристаллы форстерита с хромом