Меню
Публикации
Главный редактор

ТИБИЛОВ
Александр Саламович
к ф-м.н., ст.н.с
УДК535.343.2: 537.533.9: 546.284’46
Лебедев В., Теняков С., Гайстер А.
Читать статью полностью
Изменение спектров поглощения лазерных кристаллов форстерита с активными ионами Сr3+ и Сr4+ под воздействием пучка высокоэнергетичных электронов
Читать статью полностью

Исследовано изменение спектров поглощения монокристаллов форстерита Mg2SiO4 в результате облучения пучком электронов с энергией 21 МэВ. Облучение приводит к появлению в кристаллах дополнительного поглощения в виде широкой полосы в диапазоне 350–800 нм с максимумом в области 430 нм (Ec). Интенсивность дополнительного поглощения в кристаллах, выращенных в окислительной атмосфере, как правило, существенно выше, чем в кристаллах, выращенных в нейтральной атмосфере, за исключением кристаллов, сильнолегированных хромом, для которых величина дополнительного поглощения практически не зависит от окислительного потенциала ростовой атмосферы. При дополнительном легировании литием кристаллов хромсодержащего форстерита, выращенных в окислительной атмосфере, в спектре поглощения появляется еще одна интенсивная поляризованная полоса с максимумом, в зависимости от поляризации, около 375 нм (Eb) или 400 нм (Eс).
Ключевые слова:
дополнительное поглощение, облучение, монокристаллы форстерита с хромом