В обзоре рассматривается влияние основных параметров режимов напыления окислов полупроводников и металлов на структуру и рельеф осаждаемой пленки и анализируются механизмы ориентации жидких кристаллов (ЖК) с помощью таких пленок. Приводится зависимость между углами напыления, наклона кристаллитов и наклона директора ЖК. Показано, что при увеличении угла напыления ориентирующей пленки относительно плоскости подложки энергетически выгодным может оказаться переход либо к планарной, либо к гомеотропной ориентации ЖК в зависимости от скорости напыления пленки.

Ключевые слова: жидкие кристаллы, ориентация жидких кристаллов, окислы полупроводников и металлов, наклонное напыление.