Исследованы оптические свойства коллоидных гетероструктур CdSe/CdTe, CdTe/ CdSe и CdTe/CdS, синтезированных путем наращивания оболочки на нанокристаллах CdSe и CdTe. Определены коэффициенты экстинкции первой экситонной полосы поглощения и коэффициенты экстинкции на 400 нм в зависимости от количества материала оболочки, добавленного в ходе роста гетероструктур. Показано, что полученные гетероструктуры имеют коэффициенты экстинкции на 1–2 порядка большие, чем исходные ядра: до 0,3х107 см–1 М–1 в случае CdTe/CdS и CdTe/CdSe и до 1,6х107 см–1 М–1 в случае CdSe/CdTe. Для гетероструктур CdSe/CdTe показана возможность контроля длины волны люминесценции в диапазоне 550–950 нм в зависимости от размеров оболочки.

Ключевые слова: квантовые точки, нанокристаллы полупроводников, гетероструктуры, коэффициенты экстинкции, люминофоры