Представлен теоретический анализ изменения диэлектрической проницаемости широкозонного полупроводника в течение действия фемтосекундного лазерного импульса с учетом эмиссионных явлений различного типа. Рассчитанное пространственное распределение диэлектрической проницаемости моделируется в опытах по поверхностному плазмонному резонансу на соответствующих многослойных структурах и сравнивается с данными фемтосекундного микроструктурирования кремния на длине волны 1,25 мкм.

Ключевые слова: фемтосекундный лазерный импульс, внешняя эмиссия электронов, динамическая диэлектрическая проницаемость, поверхностные электромагнитные волны