Научно-технический
«ОПТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ»
издается с 1931 года
Апрель 2014 № 4(81)
УДК 535.015 538.91

Оптические константы эпитаксиальных пленок оксида цинка, выращенных на кремнии с буферным нанослоем карбида кремния

Кукушкин С. ., Осипов А. В., Осипова Е. ., Разумов С. ., Кандаков А. .

Впервые получены толстые эпитаксиальные слои (порядка 2–3 мкм) оксида цинка без трещин на кремниевой подложке. С этой целью использовался буферный слой монокристаллического карбида кремния толщиной 100  нм, который осаждался методом твердофазной эпитаксии. При этом в кремнии образуется слой с порами и вакансиями, обеспечивающий частичную релаксацию упругих напряжений. Измерены оптические константы эпитаксиальных слоев оксида цинка на кремнии. Основной особенностью полученных эллипсометрических спектров является поглощение света в области 2,0–3,3 эВ, что объясняется упругими напряжениями в слое оксида цинка.
Ключевые слова: эпитаксия, широкозонные полупроводники, эллипсометрия,диэлектрическая проницаемость, оксид цинка
Информация 2002-2017 ©
Научно-технический «ОПТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ»
Все права защищены.