Научно-технический
«ОПТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ»
издается с 1931 года
Апрель 2014 № 4(81)
УДК 538.958

Нитриды алюминия и галлия на кремниевой подложке с промежуточным нанослоем карбида кремния для приборов ультрафиолетового диапазона излучения

Бессолов В. ., Жиляев Ю. В., Коненкова Е. ., Сорокин Л. ., Феоктистов Н. ., Шарофидинов Ш. ., Sheglov Se. Al., Кукушкин С. ., Метс Л. ., Осипов А. В.

Излагается идея нового технологического метода выращивания низкодефектных гетероструктур нитридов алюминия и галлия на кремниевой подложке для ультрафиолетового диапазона излучения. Впервые экспериментально доказано, что создание промежуточного нанослоя карбида кремния позволяет получить методом газофазной эпитаксии высокосовершенные слои нитридов алюминия и галлия на кремниевой подложке без трещин. При этом основные характеристики кристаллического совершенства этих слоев, а именно полуширина рентгеновских кривых качания и полуширина спектров фотолюминесценции, с учетом отсутствия трещин, значительно превышают подобные значения, полученные другими авторами. Показано, что в спектрах фотолюминесценции нитрида галлия при температуре 77 K проявляется экситонная полоса с энергией мак-K проявляется экситонная полоса с энергией максимума  излучения 3,45 эВ и полушириной 63 мэВ.
Ключевые слова:  нитрид галлия, фотолюминесценция, карбид кремния
Информация 2002-2017 ©
Научно-технический «ОПТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ»
Все права защищены.