Научно-технический
«ОПТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ»
издается с 1931 года
Январь 2014 № 1(81)
УДК621.373.535

Электрофизические явления при фемтосекундных воздействиях лазерного излучения на полупроводники

Дюкин Р. В., Марциновский Г., Шандыбина Г. Д., Яковлев Е. Б.


Читать статью полностью 
Проведено численное моделирование пространственно-временного распределения концентрации неравновесных носителей заряда при действии ультракоротких импульсов лазерного излучения на полупроводники с учетом внешней эмиссии электронов. Полученные результаты сравниваются с экспериментальными условиями возбуждения и распространения волноводных мод в кремнии под действием фемтосекундных импульсов с энергией кванта порядка 0,98 эВ.
Ключевые слова: фемтосекундный лазерный импульс, внешняя эмиссия электронов, поверхностные электромагнитные волны
Информация 2002-2020 ©
Научно-технический «ОПТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ»
Все права защищены.