Рассмотрены физический механизм работы и построение новых детекторов электромагнитного излучения на основе эмиссии газа горячих электронов, в которых используется эффект изменения тока термоэлектронной эмиссии в полупроводниковом диоде с барьером Шоттки при прямой передаче энергии поглощенного излучения системе электронного газа в квазиметаллическом слое барьера. Отличие времени установления равновесия внутри системы электронного газа от времени установления равновесного состояния между электронным газом и фононной системой позволяет увеличивать температуру электронного газа и, соответственно, ток термоэлектронной эмиссии, не меняя температуру кристаллической решетки детектора. При этом возникает возможность детектирования излучения с энергией квантов меньше, чем высота потенциального барьера диода Шоттки, и значительного увеличения граничной длины волны детектора. С учетом того, что термоизоляция рассматриваемых детекторов от подложки не требуется, приводится пример построения топологической схемы фотоприемной матрицы.