Научно-технический
«ОПТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ»
издается с 1931 года
Апрель 2014 № 4(81)
УДК 539.216.2; 537.9; 535.3

ПРИМЕНЕНИЕ ЛАЗЕРНОГО РАСПЫЛЕНИЯ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР

Звонков Б. ., Вихрова О. ., Данилов Ю. ., Демидов Е. ., Демина П. ., Дорохин М. ., Дроздов Ю. ., Подольский В. ., Сапожников М. .

Лазерное распыление твердотельных мишеней в атмосфере водорода использовано при формировании полупроводниковых наногетероструктур. Введение в светоизлучающие структуры на основе системы InGaAs/GaAs примесей (Te или Mn) в виде дельта-легированных слоев, полученных путем лазерного распыления соответствующих мишеней в процессе газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений, позволяет управлять спектром и интенсивностью электролюминесценции. Снижение давления водорода в реакторе до 25–50 торр обеспечивает возможность лазерного нанесения при пониженных температурах эпитаксиальных слоев основного материала и получение полупроводников GaAs и InAs с высоким уровнем легирования марганцем, демонстрирующих ферромагнитные свойства при комнатной температуре.
Информация 2002-2017 ©
Научно-технический «ОПТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ»
Все права защищены.