Научно-технический
«ОПТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ»
издается с 1931 года
Январь 2014 № 1(81)
УДК539.216.2; 537.9; 535.3

ПРИМЕНЕНИЕ ЛАЗЕРНОГО РАСПЫЛЕНИЯ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР

Звонков Б., Вихрова О., Данилов Ю., Демидов Е., Демина П., Дорохин М., Дроздов Ю., Подольский В., Сапожников М.

Лазерное распыление твердотельных мишеней в атмосфере водорода использовано при формировании полупроводниковых наногетероструктур. Введение в светоизлучающие структуры на основе системы InGaAs/GaAs примесей (Te или Mn) в виде дельта-легированных слоев, полученных путем лазерного распыления соответствующих мишеней в процессе газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений, позволяет управлять спектром и интенсивностью электролюминесценции. Снижение давления водорода в реакторе до 25–50 торр обеспечивает возможность лазерного нанесения при пониженных температурах эпитаксиальных слоев основного материала и получение полупроводников GaAs и InAs с высоким уровнем легирования марганцем, демонстрирующих ферромагнитные свойства при комнатной температуре.
Информация 2002-2020 ©
Научно-технический «ОПТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ»
Все права защищены.