Исследована динамика фотолюминесценции, возбуждаемой в CdTe при воздействии импульсом ( = 80 нс) рубинового лазера, модифицирующего субмикронный поверхностный слой. Получены зависимости максимальной интенсивности фотолюминесценции от плотности энергии облучения Е при одно-, двух- и трехкратном воздействии лазерного импульса. Установленные зависимости объясняются влиянием конкурирующих факторов: возрастанием уровня фотовозбуждения с ростом Е и температурным гашением фотолюминесценции. Обнаружен эффект роста фотолюминесценции при плотностях энергии выше порога плавления поверхности полупроводника.