Научно-технический
«ОПТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ»
издается с 1931 года
Январь 2014 № 1(81)
УДК535.3:539.3

Материалы для фотоприемников на межподзонных переходах в GaN/AlGaN- квантовых точках

Журавлев К., Мансуров В., Гриняев С., Караваев Г., Тронц П.


Читать статью полностью 
Электронные состояния и оптические свойства плотного упорядоченного массива квантовых точек (КТ) на основе кристаллов GaN и AlN вюртцитной (w) структуры исследованы методом псевдопотенциала с точным учетом гексагональной симметрии, деформаций и внутренних электрических полей. Показано, что в центре зоны Бриллюэна сверхрешетки из КТ минимум первой электронной минизоны происходит из состояния центральной долины Γ1зоны проводимости бинарных кристаллов, а вышележащие уровни связаны с состояниями боковых долин U и окрестности долины Γ. Первый пик поглощения света, поляризованного в базальной плоскости e¡c, связан с переходами с нижнего уровня с симметрией Γ1в квантовой Γ яме на два близких уровня с симметрией Γ3. Поглощение света с поляризацией, параллельной гексагональной оси ec, более слабое, пик сдвинут в сторону бо′льших энергий. Благодаря этому массив малых КТGaN может быть использован в инфракрасных фотоприемниках при фронтальном падении света. Предложена и развита технология получения массивов КТ малых размеров с высокой плотностью.
Ключевые слова: нитрид галлия, квантовые точки, электронная структура, ИК фотоприемники, молекулярно-лучевая эпитаксия, технология получения.
Информация 2002-2020 ©
Научно-технический «ОПТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ»
Все права защищены.