Научно-технический
«ОПТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ»
издается с 1931 года
Январь 2014 № 1(81)
УДК621.315.592: 536.717: 537.33

Наноструктуры на основе CdHgTe для фотоприемников

Дворецкий С., Квон З., Михайлов Н. Н., Швец В. А., Виттман Б., Данилов С., Ганичев С., Асеев А.


Читать статью полностью 
Приведены результаты выращивания квантовых ям на основе HgTe(HgTe/ Cd0,735Hg0,265 Te) толщиной 16,2 и 21 нм на подложках (013) CdTe/ZnTe/GaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Контроль состава, толщин спейсера и квантовой ямы проводился с помощью эллипсометрической методики в процессе роста. Гальваномагнитные исследования в широком диапазоне магнитных полей (1–12 Тл) при температурах вблизи температуры жидкого гелия (4,2 К) показали присутствие двумерного электронного газа в наноструктурах и квантование уровней. Были получены высокие подвижности двумерного электронного газа μe= 2×105см2/(В•с) и μe = 5×105см2/(В с) для плотности электроновNs = 1,5×1011 см–2 и Ns = 3,5×1011 см–2 соответственно. Проведено исследование циркулярного и линейного фотогальванического эффекта в кван-товых ямах при комнатной температуре в широком интервале длин волн: от среднего инфракрасного (6–16 мкм) до терагерцового (100–500 мкм).
Ключевые слова: квантовые ямы, теллурид ртути, молекулярно-лучевая эпитаксия, эллипсометрия, фотоприемники терагерцового излучения, фотогальванический эффект.
Информация 2002-2020 ©
Научно-технический «ОПТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ»
Все права защищены.