Научно-технический
«ОПТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ»
издается с 1931 года
Апрель 2014 № 4(81)
УДК 621.315.592: 536.717: 537.33

Наноструктуры на основе CdHgTe для фотоприемников

Дворецкий С. ., Квон З. ., Михайлов Н. Н., Швец В. А., Виттман Б. ., Данилов С. ., Ганичев С. ., Асеев А. .


Читать статью полностью 
Приведены результаты выращивания квантовых ям на основе HgTe(HgTe/ Cd0,735Hg0,265 Te) толщиной 16,2 и 21 нм на подложках (013) CdTe/ZnTe/GaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Контроль состава, толщин спейсера и квантовой ямы проводился с помощью эллипсометрической методики в процессе роста. Гальваномагнитные исследования в широком диапазоне магнитных полей (1–12 Тл) при температурах вблизи температуры жидкого гелия (4,2 К) показали присутствие двумерного электронного газа в наноструктурах и квантование уровней. Были получены высокие подвижности двумерного электронного газа μe= 2×105см2/(В•с) и μe = 5×105см2/(В с) для плотности электроновNs = 1,5×1011 см–2 и Ns = 3,5×1011 см–2 соответственно. Проведено исследование циркулярного и линейного фотогальванического эффекта в кван-товых ямах при комнатной температуре в широком интервале длин волн: от среднего инфракрасного (6–16 мкм) до терагерцового (100–500 мкм).
Ключевые слова: квантовые ямы, теллурид ртути, молекулярно-лучевая эпитаксия, эллипсометрия, фотоприемники терагерцового излучения, фотогальванический эффект.
Информация 2002-2017 ©
Научно-технический «ОПТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ»
Все права защищены.