Обсуждаются результаты исследований процессов и их параметры при формировании монолитных интегрированных инфракрасных матриц на основе теллурида кадмия  и ртути (КРТ). Проведено изучение процессов для выращивания гетероэпитаксиальных  слоев (ГЭС) КРТ методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) в ячейках кремниевого мультиплексора, формирования n–p-перехода  и  контактных соединений. Для  селективного выращивания ГЭС КРТ МЛЭ определены режимы подготовки кремниевой поверхности в окнах диэлектрика размерами от 30×30 до 100×100 мкм. Выращены  селективные слои CdHgTe (8 мкм)/CdTe (5–7 мкм)/ZnTe (0,02 мкм) на Si (310). С использованием ионной имплантации бора в селективные  слои p-типа  сформированы  n–p-переходы. Измерения показали, что параметр R 0 Aсоставляет 1,25×105  Ом см2  для  спектрального диапазоне 3–5 мкм. Изготовлена монолитная линейка формата 1×32 на  основе ГЭС КРТ МЛЭ при выращивании в ячейках кремниевого мультиплексора.

Ключевые слова: CdHgTe, молекулярно-лучевая эпитаксия, инфракрасный фотоприемник монолитный.