Меню
Публикации
Главный редактор

ТИБИЛОВ
Александр Саламович
к ф-м.н., ст.н.с
УДК548.25: 621.383.4
Якушев М., Васильев В., Дегтярев Е., Дворецкий С., Козлов А., Новоселов А., Фомин Б., Асеев А.
Читать статью полностью
Исследование процессов формирования инфракрасного фотоприемника на основе CdHgTe в монолитном исполнении
Читать статью полностью

Обсуждаются результаты исследований процессов и их параметры при формировании монолитных интегрированных инфракрасных матриц на основе теллурида кадмия и ртути (КРТ). Проведено изучение процессов для выращивания гетероэпитаксиальных слоев (ГЭС) КРТ методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) в ячейках кремниевого мультиплексора, формирования n–p-перехода и контактных соединений. Для селективного выращивания ГЭС КРТ МЛЭ определены режимы подготовки кремниевой поверхности в окнах диэлектрика размерами от 30×30 до 100×100 мкм. Выращены селективные слои CdHgTe (8 мкм)/CdTe (5–7 мкм)/ZnTe (0,02 мкм) на Si (310). С использованием ионной имплантации бора в селективные слои p-типа сформированы n–p-переходы. Измерения показали, что параметр R 0 Aсоставляет 1,25×105 Ом см2 для спектрального диапазоне 3–5 мкм. Изготовлена монолитная линейка формата 1×32 на основе ГЭС КРТ МЛЭ при выращивании в ячейках кремниевого мультиплексора.
Ключевые слова:
CdHgTe, молекулярно-лучевая эпитаксия, инфракрасный фотоприемник монолитный.