Разработана технология изготовления высокостабильных фоторезисторов для диапазона спектра 8–12 мкм из гетероэпитаксиальных структур твердого раствора CdHgTe, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложке из арсенида галлия. Исследована стабильность фотоэлектрических параметров многоэлементных фоторезисторов длительным прогревом при повышенных температурах (65–85 °С). Фоторезисторы имели обнаружительную способность, ограниченную шумами фонового излучения. Показано, что главной причиной деградации фоточувствительного элемента фоторезистора является диффузия вакансий ртути с фронтальной и боковых поверхностей. Устранение причин возникновения вакансий и создание защитных покрытий поверхностей позволяют обеспечить стабильность фоторезисторов в течение 2500 ч при 70 °С.

Ключевые слова: ИК техника, гетероэпитаксиальные структуры CdHgTe, технология фоторезисторов, стабильность параметров.