Научно-технический
«ОПТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ»
издается с 1931 года
Январь 2014 № 1(81)
УДК621.383.49:621.793.162

Долговременная стабильность фоторезисторов спектрального диапазона 8–12 мкм, изготовленных из гетероэпитаксиальных структур CdHgTe, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Филатов А., Сусов Е., Гусаров А., Акимова Н., Крапухин В., Карпов В., Шаевич В.


Читать статью полностью 
Разработана технология изготовления высокостабильных фоторезисторов для диапазона спектра 8–12 мкм из гетероэпитаксиальных структур твердого раствора CdHgTe, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложке из арсенида галлия. Исследована стабильность фотоэлектрических параметров многоэлементных фоторезисторов длительным прогревом при повышенных температурах (65–85 °С). Фоторезисторы имели обнаружительную способность, ограниченную шумами фонового излучения. Показано, что главной причиной деградации фоточувствительного элемента фоторезистора является диффузия вакансий ртути с фронтальной и боковых поверхностей. Устранение причин возникновения вакансий и создание защитных покрытий поверхностей позволяют обеспечить стабильность фоторезисторов в течение 2500 ч при 70 °С.
Ключевые слова: ИК техника, гетероэпитаксиальные структуры CdHgTe, технология фоторезисторов, стабильность параметров.
Информация 2002-2020 ©
Научно-технический «ОПТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ»
Все права защищены.