Научно-технический
«ОПТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ»
издается с 1931 года
Апрель 2014 № 4(81)
УДК 621.382, 539.32

Сравнение токовых характеристик фотодиодов, сформированных на пленках CdHgTe, выращенных методами молекулярно-лучевой и жидкофазной эпитаксии, для спектрального диапазона 8–12 мкм

Андреева Е. ., Варавин В. ., Васильев В. ., Гуменюк-Сычевская Ж. ., Дворецкий С. ., Михайлов Н. Н., Цибрий З. ., Сизов Ф. .


Читать статью полностью 
Проведено сравнение темновых токов и дифференциального сопротивления фотодиодов, полученных при ионном легировании бором слоев теллурида кадмия и ртути (КРТ) р-типа проводимости, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) и методом жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ). Вольт-амперные характеристики для диодов на слоях КРТ, выращенных методом МЛЭ с составом х = 0,215 и ЖФЭ (x ≈ 0,222), характеризуются различными значениями тока насыщения (обратное смещение –0,25 B) 1–2 и 5–10 нА соответственно, несмотря на то что для вторых ширина запрещенной зоны больше. При этом максимальное дифференциальное сопротивление составляет 4×109 и 5×107Ом для диодов на основе МЛЭ- и ЖФЭ-слоев соответственно. Экспериментальные данные сравниваются с расчетными. Численное моделирование показало, что для МЛЭ-структур при малых смещениях темновой ток ограничивается диффузионным током и током типа Шокли–Рида–Холла вне n-pперехода, а в ЖФЭ-структурах существенен вклад токов через ловушки в обедненной области.
Ключевые слова: фотоприемники, пленки CdHgTe, молекулярно-лучевая эпитаксия, жидкофазная эпитаксия.
Информация 2002-2017 ©
Научно-технический «ОПТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ»
Все права защищены.