Предложена конструкция фотоприемника на основе варизонной гетероэпитаксиальной структуры CdHgTe с высокопроводящим слоем (ВС), который обеспечивает низкое последовательное сопротивление фотодиодов и одновременно выполняет функцию коротковолнового отрезающего фильтра. На основе анализа влияния параметров ВС на квантовую эффективность и разность температур, эквивалентную шуму матричных фотоприемников (МФ), определены его оптимальные параметры. Изготовленыобразцы МФ форматом 320×256 элементов для спектрального диапазона 8–12 мкм на основе гибридной сборки фоточувствительных элементов из гетероэпитаксиальных структур р-типа (013) HgCdTe/CdTe/ZnTe/GaAs с ВС и кремниевого мультиплексора. Вольтовая чувствительность, пороговая облученность и разность температур, эквивалентная шуму, в максимуме чувствительности составили 4,1×108 В/Вт, 1,02×10–7Вт/см2и 27 мК, соответственно.

Ключевые слова: варизонные слои, гетероэпитаксиальные структуры CdHgTe, высокопроводящий слой, коротковолновый отрезающий фильтр, матричные фотоприемники, разность температур, эквивалентная шуму.