Научно-технический
«ОПТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ»
издается с 1931 года
Апрель 2014 № 4(81)
УДК 535.34; 535.35

Влияние условий обработки поверхности на собственную люминесценцию кристаллов CsI

Кудин А. ., Андрющенко Л. ., Гресь В. ., Диденко А. ., Чаркина Т. .

Показано, что при комнатной температуре люминесценция кристаллов CsI с дли- ной волны λem = 305 нм наблюдается при возбуждении в длинноволновой полосе экси- тонного поглощения при λex = 220 нм. Для возбуждения этой люминесценции вблизи поверхности необходим учет двух факторов при приготовлении образца. Во-первых, временной характер релаксации нарушенного слоя, во-вторых, проникновение туша- щих примесей в приповерхностный слой во время диффузионного выхода избыточного числа вакансий на свободную поверхность. Ранее собственную фотолюминесценцию кристаллов CsI наблюдали только в режиме двухфотонного поглощения, когда кри- сталл прозрачен к возбуждающему свету. Для минимизации числа дефектов в припо- верхностном слое предложена химическая полировка поверхности, которая проводится после релаксации нарушенного слоя.
Ключевые слова: люминесценция, CsI, нарушенный слой, химическая полировка
Информация 2002-2017 ©
Научно-технический «ОПТИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ»
Все права защищены.