Описывается фемтосекундный лазер на Yb:KYW с прямой накачкой полупроводни- ковым инжекционным лазером. Лазерный кристалл Yb:KYW накачивался продольно излучениeм полупроводникового инжекционного InGaAs-лазера с волоконным выво- дом излучения. Пространственная структура излучения полупроводникового лазера переформировывалась линзовой оптической системой с целью максимальной концен- трации его мощности в объеме лазерной среды. Генерация фемтосекундных импульсов производилась в режиме самосинхронизации продольных мод путем использования полупроводникового насыщающегося поглотителя. Средняя мощность генератора превышала 1 Вт на центральной длине волны 1043 нм при длительности импульсов около 90 фс. Разработанный задающий генератор может использоваться и как само- стоятельный источник фемтосекундных световых импульсов, и в качестве затравочного источника для фемтосекундных лазерных усилительных систем.

Ключевые слова: фемтосекудный генератор, фемтосекундные импульсы, длитель- ность импульса, диодный лазер, Yb:KYW-активный элемент