Рассмотрены особенности электрофизических свойств полупроводников применительно к их использованию в качестве оптической среды для инфракрасных систем. Показано, что достовер­ные сведения о величине коэффициента поглощения в инфракрасной области спектра могут быть получены из совокупности параметров: типа проводимости, удельного сопротивления, подвиж­ности носителей заряда, ширины запрещенной зоны.